Muskious
New member
NAND bellek dalında üç boyutlu yani istifleme formülü benimsendi benimseneli bellek yoğunluklarında kıymetli artışlar yaşanıyor. Samsung bölümün en ağır NAND belleğini hacimli üretime sokuyor.
1Tb V-NAND bellek
Samsung’un sekizinci kuşağa geçişini temsil eden yeni V-NAND bellekler TLC yani hücre başına 3-bit kapasite yoğunluğunu temel alıyor. Dikey istiflemenin de tesiriyle 1Tb TLC V-NAND bellek modülü elde edilebilmiş. bu biçimdece kesimin en ağır kapasitesine ulaşılmış. Samsung kaç katmanlı NAND kullandığını açıklamamış.
üç boyutlu ölçekleme teknolojisi ile hücrelerin içindeki çakışmayı engelleyen Samsung daha yüksek verimliliğe ulaşmış. Toggle DDR 5.0 arayüzü yardımıyla de data transferi 2.4Gbps düzeylerine çıkıyor. Ayrıyeten PCIe 4.0 ve PCIe 5.0 performans kriterleri de karşılanmış oluyor.
Samsung yeni bellek modüllerini işletme sunucularına ve bilhassa otomotiv kesimine tedarik edeceğini deklare etti. Son kullanıcı tarafında ise farklı versiyonlarını görmemiz mümkün olabilir.
1Tb V-NAND bellek
Samsung’un sekizinci kuşağa geçişini temsil eden yeni V-NAND bellekler TLC yani hücre başına 3-bit kapasite yoğunluğunu temel alıyor. Dikey istiflemenin de tesiriyle 1Tb TLC V-NAND bellek modülü elde edilebilmiş. bu biçimdece kesimin en ağır kapasitesine ulaşılmış. Samsung kaç katmanlı NAND kullandığını açıklamamış.
üç boyutlu ölçekleme teknolojisi ile hücrelerin içindeki çakışmayı engelleyen Samsung daha yüksek verimliliğe ulaşmış. Toggle DDR 5.0 arayüzü yardımıyla de data transferi 2.4Gbps düzeylerine çıkıyor. Ayrıyeten PCIe 4.0 ve PCIe 5.0 performans kriterleri de karşılanmış oluyor.
Samsung yeni bellek modüllerini işletme sunucularına ve bilhassa otomotiv kesimine tedarik edeceğini deklare etti. Son kullanıcı tarafında ise farklı versiyonlarını görmemiz mümkün olabilir.