Muskious
New member
IBM ve Samsung, IEDM yıllık mikro ve nanoelektronik konferansı sırasında transistörleri bir çip üzerinde dikey olarak yerleştirmek için yeni bir tasarım geliştirdiklerini deklare ettilar. Yarı iletken dizaynında bir atılım yaptıklarını söylemiş oldukleri Dikey Transfer Alan Tesirli Transistörler’in (VTFET), daha yüksek performans ve gelişmiş güç verimliliği sunduğu belirtiliyor.
Yarı iletkenler VTFET ile daha verimli olacak
Klasik dizaynda yarı iletken üzerinde yatay olarak yerleştirilmiş transistörler yer alırken VTFET teknolojisinde transistörler yarı iletken üzerinde dikey olarak yerleştirilecek. Tasarım, elektrik akımının daha süratli aktarılmasını sağlayacak ve bu durum da performansı güzelleştirecek. Ayrıyeten daha süratli akışın elde edilmesi güç verimliliği de sağlayacak.
IBM ve Samsung, geliştirdikleri dizaynın FinFET transistörlerle tasarlanmış yongalardan %85 daha az güç kullanacağını ve performansı iki katına çıkaracağını belirtiyor. Teknoloji devleri, bu sayede akıllı telefonlarda tek şarjla bir haftalık kullanım ömrü sağlanabileceğini söylüyorlar.
IBM ve Samsung, VTFET‘in ne vakit ticarileşeceğine dair bir açıklama yapmadılar.
Yarı iletkenler VTFET ile daha verimli olacak
Klasik dizaynda yarı iletken üzerinde yatay olarak yerleştirilmiş transistörler yer alırken VTFET teknolojisinde transistörler yarı iletken üzerinde dikey olarak yerleştirilecek. Tasarım, elektrik akımının daha süratli aktarılmasını sağlayacak ve bu durum da performansı güzelleştirecek. Ayrıyeten daha süratli akışın elde edilmesi güç verimliliği de sağlayacak.
IBM ve Samsung, geliştirdikleri dizaynın FinFET transistörlerle tasarlanmış yongalardan %85 daha az güç kullanacağını ve performansı iki katına çıkaracağını belirtiyor. Teknoloji devleri, bu sayede akıllı telefonlarda tek şarjla bir haftalık kullanım ömrü sağlanabileceğini söylüyorlar.
IBM ve Samsung, VTFET‘in ne vakit ticarileşeceğine dair bir açıklama yapmadılar.